STW26NM60
Produktcode: 40763
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Technische Details STW26NM60
- MOSFET, N, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:600V
- On State Resistance:0.135ohm
- Transistor Case Style:TO-247
- Alternate Case Style:SOT-249
- Case Style:TO-247
- Cont Current Id:30A
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:313W
- Pulse Current Idm:120A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:600V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote STW26NM60
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| STW26NM60 | Hersteller : ST |
O402 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STW26NM60 | Hersteller : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW26NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW26NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 30 Amp |
Produkt ist nicht verfügbar |