STW27N60M2-EP STMicroelectronics
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Technische Details STW27N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
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STW27N60M2-EP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh, M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
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STW27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V |
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| STW27N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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