STW28N60DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.17 EUR |
| 10+ | 5.11 EUR |
| 100+ | 4.21 EUR |
| 600+ | 3.56 EUR |
| 1200+ | 3.2 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STW28N60DM2 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 14A, Pulsed drain current: 84A, Power dissipation: 170W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.16Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Weitere Produktangebote STW28N60DM2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| STW28N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 14A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
STW28N60DM2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW28N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| STW28N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH



