STW28N60DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.95 EUR |
| 10+ | 6.51 EUR |
| 100+ | 4.86 EUR |
| 600+ | 4.06 EUR |
| 1200+ | 3.8 EUR |
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Technische Details STW28N60DM2 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 14A, Power dissipation: 170W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.16Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 84A, Version: ESD.
Weitere Produktangebote STW28N60DM2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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STW28N60DM2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STW28N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 84A Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STW28N60DM2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW28N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
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| STW28N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
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| STW28N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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