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Technische Details STW30N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW30N65M5 nach Preis ab 4.69 EUR bis 11.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW30N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW30N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW30N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
STW30N65M5 THT N channel transistors |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW30N65M5 Produktcode: 107383
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STW30N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW30N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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