STW31N65M5 STMicroelectronics
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Technische Details STW31N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote STW31N65M5 nach Preis ab 3.43 EUR bis 10.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STW31N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW31N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW31N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.9A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 148mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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| STW31N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
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| 600+ | 3.43 EUR |
| STW31N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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| 1+ | 10.45 EUR |
| 10+ | 5.78 EUR |
| 100+ | 5.11 EUR |
| 600+ | 4.3 EUR |
| 1200+ | 3.96 EUR |
| 3000+ | 3.75 EUR |
| STW31N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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