STW33N60M2 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STW33N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW33N60M2 nach Preis ab 3.46 EUR bis 8.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V |
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STW33N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STW33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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