
STW34NM60ND STMicroelectronics
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Anzahl | Preis |
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80+ | 7.85 EUR |
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Technische Details STW34NM60ND STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote STW34NM60ND nach Preis ab 4.58 EUR bis 16.53 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STW34NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW34NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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STW34NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW34NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW34NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW34NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW34NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW34NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
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