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STW35N60DM2

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Produktcode: 123684
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/54
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMicroelectronics STW35N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+6.64 EUR
100+5.18 EUR
600+4.25 EUR
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STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMICROELECTRONICS STW35N60DM2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STW35N60DM2 STW35N60DM2.pdf
STW35N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.86 EUR
10+6.64 EUR
100+5.18 EUR
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STW35N60DM2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
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