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STW38N65M5

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Produktcode: 223134
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.5 EUR
31+5.65 EUR
100+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.75 EUR
10+8.02 EUR
100+7.14 EUR
600+7 EUR
3000+6.95 EUR
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STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.37 EUR
30+8.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW38N65M5 STW38N65M5 STMICROELECTRONICS 2362749.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.74 EUR
15+15.54 EUR
17+12.91 EUR
50+11.46 EUR
100+10.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STW38N65M5 12367dm00049157.pdf
STW38N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW38N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
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STW38N65M5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.74 EUR
15+15.54 EUR
17+12.91 EUR
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