STW40N65M2

STW40N65M2 STMicroelectronics


en.DM00158279.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
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Technische Details STW40N65M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STW40N65M2 STW40N65M2 Hersteller : STMicroelectronics stw40n65m2-1852160.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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STW40N65M2 STW40N65M2 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00158279.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STW40N65M2 STW40N65M2 Hersteller : STMicroelectronics 3720399501601024dm00158279.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW40N65M2 Hersteller : STMicroelectronics 3720399501601024dm00158279.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW40N65M2 Hersteller : STMicroelectronics stw40n65m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 87mΩ
Pulsed drain current: 128A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW40N65M2 Hersteller : STMicroelectronics stw40n65m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 87mΩ
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