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Technische Details STW42N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote STW42N65M5 nach Preis ab 8.42 EUR bis 13.83 EUR
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STW42N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V |
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STW42N65M5 Produktcode: 49703
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| STW42N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
STW42N65M5 THT N channel transistors |
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STW42N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW42N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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