Weitere Produktangebote STW45N60DM6 nach Preis ab 5.72 EUR bis 12.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW45N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW45N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW45N60DM6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW45N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW45N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW45N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |