STW45N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.50 EUR |
| 30+ | 7.05 EUR |
| 120+ | 6.83 EUR |
| 510+ | 6.57 EUR |
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Technische Details STW45N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW45N65M5 nach Preis ab 5.07 EUR bis 14.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW45N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Version: ESD Gate-source voltage: ±20V Drain current: 22A Anzahl je Verpackung: 600 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Version: ESD Gate-source voltage: ±20V Drain current: 22A |
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