STW56N60M2-4 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 9000+ | 7.55 EUR |
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Technische Details STW56N60M2-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60M2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW56N60M2-4 nach Preis ab 7.09 EUR bis 16.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW56N60M2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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STW56N60M2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V |
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STW56N60M2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ 52 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW56N60M2-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60M2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STW56N60M2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW56N60M2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW56N60M2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 350W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW56N60M2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 350W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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