STW57N65M5 STMicroelectronics
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Technische Details STW57N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STW57N65M5 nach Preis ab 6.19 EUR bis 17.23 EUR
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STW57N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW57N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
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STW57N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
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STW57N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| STW57N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STW57N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW57N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW57N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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