Technische Details STW57N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STW57N65M5 nach Preis ab 7.53 EUR bis 22.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STW57N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW57N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW57N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW57N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STW57N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW57N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 600+ | 7.84 EUR |
| 1200+ | 7.53 EUR |
| STW57N65M5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 19.02 EUR |
| 16+ | 14.53 EUR |
| 21+ | 10.52 EUR |
| 50+ | 10.28 EUR |
| 100+ | 10.02 EUR |
| 250+ | 9.79 EUR |
| STW57N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.08 EUR |
| 10+ | 12.21 EUR |
| 100+ | 9.78 EUR |
| 600+ | 9.23 EUR |
| 1200+ | 9.03 EUR |
| STW57N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.29 EUR |
| 30+ | 13.33 EUR |
| 120+ | 11.36 EUR |
| STW57N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)