STW58N60DM2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.17 EUR |
| 10+ | 12.65 EUR |
| 100+ | 11.19 EUR |
| 600+ | 10.36 EUR |
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Technische Details STW58N60DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STW58N60DM2AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STW58N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW58N60DM2AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)