STW58N60DM2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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| 10+ | 20.88 EUR |
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| 100+ | 17.39 EUR |
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| 600+ | 14.61 EUR |
| 1200+ | 13.78 EUR |
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Technische Details STW58N60DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW58N60DM2AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
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STW58N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW58N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 200A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW58N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW58N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW58N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V |
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| STW58N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 200A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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