
STW58N65DM2AG STMicroelectronics

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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Anzahl | Preis |
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1+ | 18.85 EUR |
10+ | 16.54 EUR |
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250+ | 13.87 EUR |
600+ | 11.51 EUR |
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Technische Details STW58N65DM2AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STW58N65DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
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