STW58N65DM2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.15 EUR |
| 10+ | 16.12 EUR |
| 100+ | 14.61 EUR |
| 600+ | 13.17 EUR |
| 1200+ | 11.19 EUR |
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Technische Details STW58N65DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 360W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm.
Weitere Produktangebote STW58N65DM2AG nach Preis ab 14.29 EUR bis 37.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STW58N65DM2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 360W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW58N65DM2AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 37.64 EUR |
| 10+ | 24.64 EUR |
| 11+ | 20 EUR |
| 50+ | 16.68 EUR |
| 100+ | 15.37 EUR |
| 250+ | 14.29 EUR |