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STW58N65DM2AG

STW58N65DM2AG STMicroelectronics


en.DM00228874.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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Technische Details STW58N65DM2AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW58N65DM2AG STW58N65DM2AG Hersteller : STMicroelectronics 1419936196637491dm002.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW58N65DM2AG STW58N65DM2AG Hersteller : STMicroelectronics stw58n65dm2ag.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW58N65DM2AG Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B67014C260D2&compId=stw58n65dm2ag.pdf?ci_sign=d3a3d980a86f71266c3c288922d1a1c8a094fc65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 150A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW58N65DM2AG Hersteller : STMicroelectronics 1419936196637491dm002.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW58N65DM2AG STW58N65DM2AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00228874.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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STW58N65DM2AG Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B67014C260D2&compId=stw58n65dm2ag.pdf?ci_sign=d3a3d980a86f71266c3c288922d1a1c8a094fc65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 150A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
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