STW65N023M9-4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 26.08 EUR |
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Technische Details STW65N023M9-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW65N023M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 463W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW65N023M9-4 nach Preis ab 14.61 EUR bis 26.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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STW65N023M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET |
auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW65N023M9-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW65N023M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW65N023M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW65N023M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW65N023M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW65N023M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT |
Produkt ist nicht verfügbar |