STW65N045M9-4 STMicroelectronics
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Technische Details STW65N045M9-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW65N045M9-4 nach Preis ab 15.73 EUR bis 19.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW65N045M9-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V |
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| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 34A; Idm: 170A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 312W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 34A; Idm: 170A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 312W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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