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STW65N045M9-4

STW65N045M9-4 STMicroelectronics

stw65n045m9-4.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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Technische Details STW65N045M9-4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STW65N045M9-4 STW65N045M9-4 Hersteller : STMICROELECTRONICS stw65n045m9-4.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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STW65N045M9-4 Hersteller : STMicroelectronics stw65n045m9-4.pdf Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
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STW65N045M9-4 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00976282.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STW65N045M9-4 Hersteller : STMicroelectronics stw65n045m9-4.pdf STW65N045M9-4 THT N channel transistors
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