STW65N60DM6

STW65N60DM6 STMicroelectronics


stw65n60dm6.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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Technische Details STW65N60DM6 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 29A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 368W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 71mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 65.2nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: MDmesh™ DM6, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW65N60DM6 STW65N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics stw65n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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STW65N60DM6 STW65N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics stw65n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW65N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B625DC8020D2&compId=stw65n60dm6.pdf?ci_sign=c9043166165b087d5a02072d3530caea72b0f7ee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM6
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STW65N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B625DC8020D2&compId=stw65n60dm6.pdf?ci_sign=c9043166165b087d5a02072d3530caea72b0f7ee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM6
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