STW65N60DM6 STMicroelectronics
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Technische Details STW65N60DM6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 29A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 368W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 71mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 65.2nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: MDmesh™ DM6, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote STW65N60DM6 nach Preis ab 6.22 EUR bis 8.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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STW65N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
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STW65N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW65N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW65N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 71mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW65N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 71mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM6 |
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