STW65N65DM2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.8 EUR |
| 10+ | 14.55 EUR |
| 100+ | 12.27 EUR |
| 600+ | 10.34 EUR |
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Technische Details STW65N65DM2AG STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 446W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 0.12µC, Kind of package: tube, Pulsed drain current: 240A, Polarisation: unipolar, Drain current: 38A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 42mΩ.
Weitere Produktangebote STW65N65DM2AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STW65N65DM2AG | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Pulsed drain current: 240A Polarisation: unipolar Drain current: 38A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STW65N65DM2AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW65N65DM2AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 240A
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 240A
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
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| STW65N65DM2AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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