STW65N80K5 STMicroelectronics
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Technische Details STW65N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW65N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 446W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote STW65N80K5 nach Preis ab 32.65 EUR bis 42.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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STW65N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 800V 46A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 100 V |
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STW65N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW65N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 446W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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STW65N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
STW65N80K5 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com |
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| STW65N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 30A; Idm: 184A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 30A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW65N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW65N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW65N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 30A; Idm: 184A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 30A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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