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STW68N65DM6-4AG

STW68N65DM6-4AG STMicroelectronics

stw68n65dm6-4ag.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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30+11.01 EUR
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Technische Details STW68N65DM6-4AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW68N65DM6-4AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STW68N65DM6-4AG STW68N65DM6-4AG Hersteller : STMicroelectronics stw68n65dm6_4ag-1927882.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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STW68N65DM6-4AG STW68N65DM6-4AG Hersteller : STMICROELECTRONICS 3199725.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW68N65DM6-4AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STW68N65DM6-4AG Hersteller : STMicroelectronics stw68n65dm6-4ag.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 72A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STW68N65DM6-4AG Hersteller : STMicroelectronics stw68n65dm6-4ag.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 72A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STW68N65DM6-4AG Hersteller : STMicroelectronics stw68n65dm6-4ag.pdf STW68N65DM6-4AG THT N channel transistors
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