STW6N90K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 4.49 EUR |
| 30+ | 2.00 EUR |
| 120+ | 1.91 EUR |
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Technische Details STW6N90K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW6N90K5 nach Preis ab 1.97 EUR bis 5.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STW6N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW6N90K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW6N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW6N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW6N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW6N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW6N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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