STW6N95K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
auf Bestellung 263 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 4+ | 4.7 EUR |
| 120+ | 3.88 EUR |
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Technische Details STW6N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Weitere Produktangebote STW6N95K5 nach Preis ab 3.02 EUR bis 6.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STW6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 |
auf Bestellung 3267 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW6N95K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 90 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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