STW70N60DM6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.41 EUR |
| 10+ | 11.9 EUR |
| 100+ | 9.72 EUR |
| 600+ | 8.07 EUR |
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Technische Details STW70N60DM6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±25V, Kind of package: tube, Case: TO247, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Pulsed drain current: 220A, Power dissipation: 390W, Gate charge: 99nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 39A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V.
Weitere Produktangebote STW70N60DM6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Kind of package: tube Case: TO247 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 390W Gate charge: 99nC Polarisation: unipolar Drain current: 39A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW70N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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| STW70N60DM6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
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| STW70N60DM6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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