STW70N60DM6

STW70N60DM6 STMicroelectronics


stw70n60dm6-1852133.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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Technische Details STW70N60DM6 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247, Mounting: THT, Gate charge: 99nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Case: TO247, Pulsed drain current: 220A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 39A, On-state resistance: 36mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 390W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW70N60DM6 STW70N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00429658.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW70N60DM6 STW70N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics stw70n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW70N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00429658.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW70N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics stw70n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW70N60DM6 STW70N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics stwa70n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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STW70N60DM6 Hersteller : STMicroelectronics stw70n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
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