STW70N60DM6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 18.37 EUR |
| 10+ | 14.5 EUR |
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| 600+ | 10.74 EUR |
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Technische Details STW70N60DM6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247, Gate-source voltage: ±25V, Gate charge: 99nC, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Drain current: 39A, Case: TO247, Pulsed drain current: 220A, Power dissipation: 390W, Drain-source voltage: 600V, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote STW70N60DM6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Gate-source voltage: ±25V Gate charge: 99nC On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 39A Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 390W Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
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| STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Gate-source voltage: ±25V Gate charge: 99nC On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 39A Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 390W Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar |
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