STW70N60DM6 STMicroelectronics
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 27.69 EUR |
10+ | 24.36 EUR |
25+ | 23.71 EUR |
50+ | 22.41 EUR |
100+ | 21.09 EUR |
250+ | 20.44 EUR |
600+ | 18.15 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STW70N60DM6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247, Mounting: THT, Gate charge: 99nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Case: TO247, Pulsed drain current: 220A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 39A, On-state resistance: 36mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 390W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote STW70N60DM6
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STW70N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |