STW70N60M2 STMicroelectronics
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Technische Details STW70N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 68A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote STW70N60M2 nach Preis ab 14.38 EUR bis 25.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STW70N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW70N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 68A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STW70N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 450W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 4141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW70N60M2 | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW70N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW70N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW70N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Mounting: THT Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Mounting: THT Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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