STW70N65DM6-4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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Technische Details STW70N65DM6-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 450W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Gate-source voltage: ±25V Gate charge: 125nC On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 43A Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 450W Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar |
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