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STW70N65DM6-4

STW70N65DM6-4 STMICROELECTRONICS


stw70n65dm6-4.pdf Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details STW70N65DM6-4 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW70N65DM6-4 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00662684.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STW70N65DM6-4 Hersteller : STMicroelectronics stw70n65dm6-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW70N65DM6-4 STW70N65DM6-4 Hersteller : STMicroelectronics stw70n65dm6-4.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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STW70N65DM6-4 Hersteller : STMicroelectronics stw70n65dm6_4-1761469.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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STW70N65DM6-4 Hersteller : STMicroelectronics stw70n65dm6-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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