STW70N65DM6-4 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 228 Stücke:
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Technische Details STW70N65DM6-4 STMICROELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
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| STW70N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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