STW75N65DM6-4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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| 1+ | 21.33 EUR |
| 10+ | 17.41 EUR |
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| 120+ | 14.82 EUR |
| 270+ | 14.29 EUR |
| 510+ | 13.11 EUR |
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Technische Details STW75N65DM6-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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STW75N65DM6-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STW75N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW75N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
STW75N65DM6-4 |
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| STW75N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| STW75N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 480W Gate charge: 118nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 280A Drain current: 47A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW75N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V |
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| STW75N65DM6-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 480W Gate charge: 118nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 280A Drain current: 47A |
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