STW78N65M5 STMicroelectronics
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Technische Details STW78N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
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STW78N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 450 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
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STW78N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW78N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW78N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW78N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW78N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34.5A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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STW78N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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