STW8N120K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.05 EUR |
| 30+ | 9.97 EUR |
| 120+ | 8.41 EUR |
| 510+ | 7.27 EUR |
| 1020+ | 7.01 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
2 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STW8N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm.
Weitere Produktangebote STW8N120K5 nach Preis ab 7.88 EUR bis 25.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW8N120K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package |
auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
STW8N120K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm |
auf Bestellung 1828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
STW8N120K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: THT Gate charge: 13.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW8N120K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.2 EUR |
| 10+ | 9.48 EUR |
| 100+ | 8.76 EUR |
| 600+ | 7.88 EUR |
| STW8N120K5 |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.64 EUR |
| 13+ | 18.54 EUR |
| 16+ | 13.63 EUR |
| 50+ | 11.4 EUR |
| 100+ | 10.45 EUR |
| 250+ | 9.64 EUR |
| STW8N120K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




