STW8N120K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
auf Bestellung 16346 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 18.12 EUR |
| 30+ | 14.47 EUR |
| 120+ | 12.94 EUR |
| 510+ | 11.42 EUR |
| 1020+ | 10.28 EUR |
| 2010+ | 9.63 EUR |
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Technische Details STW8N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote STW8N120K5 nach Preis ab 9.88 EUR bis 18.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STW8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW8N120K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: THT Gate charge: 13.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: THT Gate charge: 13.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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