STW8N90K5 STMicroelectronics
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Technische Details STW8N90K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW8N90K5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STW8N90K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW8N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 0.6 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STW8N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW8N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW8N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW8N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW8N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
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| STW8N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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