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STW8NK80Z

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STW8NK80Z STW8NK80Z Hersteller : STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW8NK80Z STW8NK80Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003264.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
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STW8NK80Z STW8NK80Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003264.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
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STW8NK80Z STW8NK80Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS27591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW8NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.2 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STW8NK80Z Hersteller : STM en.CD00003264.pdf MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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STW8NK80Z STW8NK80Z Hersteller : STMicroelectronics STP8NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: KLS
Batterien > Batteriehalter, Batteriefächer
Beschreibung: Halter von Flachbatterien 2032 auf PCB; UL94V-0; -55...+105C
Anwendung: под 2032
Abmessungen: 27,6х23х7,6mm
1
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470uF 35V ESX 10x20mm (ESX471M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
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Kapazität: 470uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 10x20mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 204 St.
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3000 St. - erwartet
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220uF 16V ESX 8x12mm (ESX221M16B-Hitano)
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ESX_080418.pdf
220uF 16V ESX 8x12mm (ESX221M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Produktcode: 31676
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100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
8532 22 00 00
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10000 St. - erwartet 15.06.2026
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10+0.06 EUR
100+0.034 EUR
1000+0.031 EUR
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4,7uF 35V EZV SMD sizeA (EZV4R7M35RA)
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4,7uF 35V EZV SMD sizeA (EZV4R7M35RA)
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Kapazität: 4,7uF
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Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size A
Макс.пульс.струм: 80mA
verfügbar: 1768 St.
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1648 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.08 EUR
100+0.049 EUR
1000+0.043 EUR
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