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STW8NK80Z

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1635 Stücke:
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60+2.98 EUR
600+2.84 EUR
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STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics STP8NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Technology: SuperMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.93 EUR
44+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics en.CD00003264.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.07 EUR
10+5.07 EUR
100+4.19 EUR
600+3.53 EUR
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STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics en.CD00003264.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
auf Bestellung 424 Stücke:
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3+9.26 EUR
30+5.14 EUR
120+4.25 EUR
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STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW8NK80Z STW8NK80Z STMICROELECTRONICS SGSTS27591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW8NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.2 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1 Stücke:
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STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Technology: SuperMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
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Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
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STW8NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW8NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.2 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Hersteller: KLS
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Beschreibung: Halter Flach- Batterien 2032 auf Leiterplatte; UL94V-0; -55 ... +105C
Anwendung: 2032
Abmessungen, mm: 27,6x23x7,6 mm
Anzahl der Zellen: 1
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 1 St.
  • 1 St. - erwartet
auf Bestellung: 1416 St.
  • 1416 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
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100+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
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470uF 35V ESX 10x20mm (low imp., 5000h) (ESX471M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31683
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470uF 35V ESX 10x20mm (low imp., 5000h) (ESX471M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 10x20 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 204 St.
  • 204 St. - stock Köln
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 29.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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220uF 16V ESX 8x12mm (low imp., 5000h) (ESX221M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 9317 St.
  • 9317 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
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100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
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100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
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Kapazität: 100 µF
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Reihe: ESX
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Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1384 St.
  • 1384 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.079 EUR
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1000+0.046 EUR
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4,7uF 35V EZV SMD sizeA (low imp.) (EZV4R7M35RA) (elektrolytischer Kondensator SMD niederohmig)
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 4,7 µF
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verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
auf Bestellung: 924 St.
  • 924 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.098 EUR
100+0.075 EUR
1000+0.055 EUR
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