STWA32N65DM6AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STWA32N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 37 A, 0.083 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STWA32N65DM6AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STWA32N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 37 A, 0.083 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe MDmesh DM6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STWA32N65DM6AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STWA32N65DM6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| STWA32N65DM6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in |
Produkt ist nicht verfügbar |