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STWA65N023M9

STWA65N023M9 STMicroelectronics

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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Technische Details STWA65N023M9 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STWA65N023M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 463W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STWA65N023M9 STWA65N023M9 Hersteller : STMICROELECTRONICS 3968621.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STWA65N023M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STWA65N023M9 Hersteller : STMicroelectronics STWA65N023M9 THT N channel transistors
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