STWA65N65DM2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 15.21 EUR |
| 10+ | 10.47 EUR |
| 100+ | 7.8 EUR |
| 600+ | 7.3 EUR |
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Technische Details STWA65N65DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STWA65N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.05 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (05-Nov-2025).
Weitere Produktangebote STWA65N65DM2AG nach Preis ab 8.24 EUR bis 16.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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STWA65N65DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STWA65N65DM2AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STWA65N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.05 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |