STWA68N60M6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 17.76 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STWA68N60M6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STWA68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 390W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Weitere Produktangebote STWA68N60M6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STWA68N60M6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STWA68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
STWA68N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| STWA68N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
STWA68N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC Technology: MDmesh™ M6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 252A Case: TO247 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
STWA68N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ 63 A MDmesh M6 Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
STWA68N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC Technology: MDmesh™ M6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 252A Case: TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |