STWA75N65DM6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 22.9 EUR |
| 10+ | 18.06 EUR |
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Technische Details STWA75N65DM6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STWA75N65DM6 nach Preis ab 14.56 EUR bis 23.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STWA75N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STWA75N65DM6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STWA75N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STWA75N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STWA75N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STWA75N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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