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STWA88N65M5

STWA88N65M5 STMicroelectronics

en.DM00042858.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
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Technische Details STWA88N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V.

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STWA88N65M5 STWA88N65M5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00042858.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
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STWA88N65M5 STWA88N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stw88n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STWA88N65M5 Hersteller : STMicroelectronics 702806408364518dm00042858.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STWA88N65M5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00042858.pdf STWA88N65M5 THT N channel transistors
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