STY100NM60N

STY100NM60N STMicroelectronics


STY100NM60N.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 50 V
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Technische Details STY100NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STY100NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 98 A, 0.028 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STY100NM60N STY100NM60N Hersteller : STMicroelectronics dm0003866.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 98A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY100NM60N STY100NM60N Hersteller : STMICROELECTRONICS STY100NM60N.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STY100NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 98 A, 0.028 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STY100NM60N Hersteller : STMicroelectronics STY100NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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STY100NM60N STY100NM60N Hersteller : STMicroelectronics sty100nm60n-1852136.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.025 Ohm 98A MDmesh II FET
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