STY105NM50N STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 39.27 EUR |
| 10+ | 25.04 EUR |
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Technische Details STY105NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STY105NM50N nach Preis ab 24.14 EUR bis 39.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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STY105NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V |
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STY105NM50N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STY105NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STY105NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |