STY105NM50N STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 42.4 EUR |
| 30+ | 29.83 EUR |
| 120+ | 27.38 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STY105NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STY105NM50N nach Preis ab 28.09 EUR bis 43.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STY105NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 122-126 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
STY105NM50N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
STY105NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| STY105NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |