STY112N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 58.92 EUR |
| 120+ | 57.61 EUR |
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Technische Details STY112N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STY112N65M5 nach Preis ab 66.14 EUR bis 87.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STY112N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5 |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STY112N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STY112N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STY112N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STY112N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STY112N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STY112N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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