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STY112N65M5 STMICROELECTRONICS

Name: STY112N65M5
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 2444852-6
Price: 234.42 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 625W
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Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: MAX-247
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

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Technische Details STY112N65M5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
STY112N65M5	STM	Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STY112N65M5	STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870 pF @ 100 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STY112N65M5	STMicroelectronics	MOSFETs N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STY112N65M5	STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STY112N65M5	STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STY112N65M5

Hersteller: STM
Транзистори

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STY112N65M5

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870 pF @ 100 V

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STY112N65M5

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

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Mindestbestellmenge: 600 Stücke

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STY112N65M5

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

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STY112N65M5

Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube

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