Weitere Produktangebote STY139N65M5 nach Preis ab 36.58 EUR bis 50.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STY139N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 100 V |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STY139N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STY139N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY139N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 130 A, 0.014 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |