STY145N65M5 STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 61.83 EUR |
| 10+ | 55.8 EUR |
| 100+ | 49.3 EUR |
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Technische Details STY145N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY145N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 138 A, 0.012 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 138A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 625W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Weitere Produktangebote STY145N65M5 nach Preis ab 47.61 EUR bis 128.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STY145N65M5 | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STY145N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY145N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 138 A, 0.012 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 138A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 625W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STY145N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 63 EUR |
| 30+ | 47.61 EUR |
| STY145N65M5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STY145N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 138 A, 0.012 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STY145N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 138 A, 0.012 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 128.1 EUR |
| 5+ | 95.14 EUR |
| 10+ | 80.52 EUR |
| 50+ | 69.02 EUR |