STY60NK30Z STMicroelectronics
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Technische Details STY60NK30Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY60NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 60 A, 0.033 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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STY60NK30Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STY60NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 60 A, 0.033 ohm, MAX-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 450W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STY60NK30Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
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STY60NK30Z Produktcode: 11235 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STY60NK30Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
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STY60NK30Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 37.5A Power dissipation: 450W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STY60NK30Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V |
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STY60NK30Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 37.5A Power dissipation: 450W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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