STY60NM50 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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auf Bestellung 13 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 4+ | 21.74 EUR |
| 5+ | 15.57 EUR |
| 30+ | 15.49 EUR |
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Technische Details STY60NM50 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY60NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STY60NM50 nach Preis ab 15.57 EUR bis 56.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STY60NM50 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37.8A Power dissipation: 560W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STY60NM50 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STY60NM50 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STY60NM50 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STY60NM50 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY60NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 560W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STY60NM50 |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| STY60NM50 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
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