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SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

sud09p10.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
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Technische Details SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 620 Stücke:
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106+1.68 EUR
125+1.42 EUR
145+1.18 EUR
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500+1.01 EUR
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SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay Semiconductors sud09p10.pdf MOSFETs -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
auf Bestellung 4161 Stücke:
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2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix sud09p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
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8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
50+1.36 EUR
100+1.21 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY 2050341.pdf Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 32.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
132+1.77 EUR
145+1.48 EUR
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1000+1.2 EUR
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SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY VISH-S-A0001143830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 5112 Stücke:
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66+3.82 EUR
106+2.2 EUR
162+1.33 EUR
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SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY sud09p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8.8A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 32.1W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
SUD09P10-195-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 620 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
106+1.68 EUR
125+1.42 EUR
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SUD09P10-195-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
auf Bestellung 4161 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.64 EUR
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100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
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SUD09P10-195-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
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SUD09P10-195-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 32.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
directShipCharge: 25
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SUD09P10-195-GE3 VISH-S-A0001143830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD09P10-195-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 5112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.82 EUR
106+2.2 EUR
162+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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SUD09P10-195-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8.8A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 32.1W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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