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SUD19N20-90-E3

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Produktcode: 154670
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix sud19n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
59+2.78 EUR
100+2.39 EUR
250+2.23 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
59+2.89 EUR
100+2.52 EUR
250+2.42 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 VISHAY 1866566.pdf Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
500+3.43 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay Semiconductors sud19n20.pdf MOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+3.56 EUR
100+3.03 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.43 EUR
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SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix sud19n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+3.68 EUR
100+3.06 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 VISHAY VISH-S-A0009485313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 3107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.43 EUR
50+4.71 EUR
100+3.24 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD19N20-90-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.14 EUR
59+2.78 EUR
100+2.39 EUR
250+2.23 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SUD19N20-90-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.14 EUR
59+2.89 EUR
100+2.52 EUR
250+2.42 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SUD19N20-90-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.77 EUR
500+3.43 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD19N20-90-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.27 EUR
10+3.56 EUR
100+3.03 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.43 EUR
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SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.5 EUR
10+3.68 EUR
100+3.06 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19N20-90-E3 VISH-S-A0009485313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD19N20-90-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 3107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.43 EUR
50+4.71 EUR
100+3.24 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH