SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 1.91 EUR |
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Technische Details SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUD19N20-90-E3 nach Preis ab 1.36 EUR bis 4.36 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19N20-90-E3 Produktcode: 154670
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUD19N20-90-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement |
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