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Technische Details SUD19P06-60-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 38.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote SUD19P06-60-GE3 nach Preis ab 0.7 EUR bis 4.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V |
auf Bestellung 16238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD19P06-60-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD19P06-60-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 38.5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 5676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.74 EUR |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.75 EUR |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.75 EUR |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 128+ | 1.37 EUR |
| 140+ | 1.23 EUR |
| 171+ | 0.99 EUR |
| 200+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2000+ | 0.7 EUR |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
auf Bestellung 16238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.82 EUR |
| 10+ | 1.48 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 2000+ | 0.8 EUR |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 126+ | 1.99 EUR |
| 144+ | 1.62 EUR |
| 167+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
auf Bestellung 1389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.37 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
| 50+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 5676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 4.43 EUR |
| 89+ | 2.62 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 5000+ | 1 EUR |
| SUD19P06-60-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)