SUD25N15-52-E3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.21 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SUD25N15-52-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUD25N15-52-E3 nach Preis ab 2.4 EUR bis 5.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD25N15-52-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
SUD25N15-52-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
SUD25N15-52-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
SUD25N15-52-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | Hersteller : VISHAY |
SUD25N15-52-E3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
|
|
SUD25N15-52-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |